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  The Mechanisms of AlGaN Device Buffer Layer Growth and Crystalline Quality Improvement: Restraint of Gallium Residues, Mismatch Stress Relief, and Control of Aluminum Atom Migration Length AlGaN器件缓冲层生长和晶体质量改善的机制：抑制镓残留、消除失配应力和控制铝原子迁移长度
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期刊：Crystals 作者：Bai-Bin Wang; Jing Yang; De-Gang Zhao; Yuheng Zhang; Zhenzhuo Zhang; et al 出版日期：2022-08-12 |
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