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A Physics-Based Model for Slow Gate-Induced Electron Trapping in GaN HEMTs
GaN HEMTs中慢栅诱导电子俘获的物理模型
相关领域
俘获 高电子迁移率晶体管 光电子学 电子 物理 材料科学 工程物理 晶体管 量子力学 电压 生物 生态学
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2024.3397234
DOI
10.1109/ted.2024.3397234 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Petros Beleniotis; Sascha Krause; Christos Zervos; Matthias Rudolph
出版日期：2024-05-10
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随风 在 2025-12-06 12:20:09 发布自上海，悬赏 10 积分
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