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A Simulation-Based Study of Back-Illuminated Lateral Ge/GeSn/Ge Photodetectors on Si Platform for Mid-Infrared Image Sensing 基于Si平台的背照式Ge/GeSn/Ge光电探测器中红外图像传感仿真研究
相关领域
响应度
光电探测器
光电子学
比探测率
异质结
材料科学
暗电流
红外线的
锗
物理
光学
硅
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| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Harshvardhan Kumar; Ankit Kumar Pandey 出版日期:2023-04-01 |
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