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 Temperature dependence of barrier height in a Ni/β-Ga2O3 Schottky barrier diode precisely determined by the analysis based on the thermionic emission-diffusion model 基于热离子发射扩散模型的分析精确确定Ni/β-Ga2O3肖特基势垒二极管中势垒高度的温度依赖性
相关领域
热离子发射
肖特基势垒
扩散
材料科学
扩散阻挡层
肖特基效应
二极管
矩形势垒
肖特基二极管
凝聚态物理
光电子学
分子物理学
化学
物理
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电子
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量子力学
图层（电子）
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期刊：Applied Physics Express 作者：A. Munakata; Kohei Sasaki; Kentaro Ema; Takuya Maeda 出版日期：2025-06-23 |
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