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标题
CMOS-RRAM Based Non-Volatile Ternary Content Addressable Memory (nvTCAM)
基于CMOS-RRAM的非易失性三进制内容可寻址存储器
相关领域
电阻随机存取存储器 CMOS芯片 三元运算 晶体管 非易失性随机存取存储器 二进制数 国家（计算机科学） 计算机科学 算法 数学 电气工程 算术 计算机存储器 计算机硬件 工程类 半导体存储器 内存刷新 电压 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1109/tnano.2024.3360312
DOI
10.1109/tnano.2024.3360312 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Nanotechnology
作者：Manoj Kumar; Ming-Hung Wu; Tuo‐Hung Hou; Manan Suri
出版日期：2024-01-01
求助人
尊敬的寄松 在 2025-12-11 07:48:16 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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  • 21小时前

    尊敬的寄松 尊敬的寄松 Lv2 求助人 发起了本次求助

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