| 标题 |
 214 MW/cm2 vertical β -Ga2O3 UMOSFETs enabled by HF sidewall treatment 相关领域
材料科学
沟槽
氢氟酸
光电子学
蚀刻（微加工）
电介质
热传导
接受者
抛光
钝化
沉积（地质）
介电强度
散射
硅
电子迁移率
降级（电信）
氟
化学机械平面化
化学气相沉积
工作职能
补偿（心理学）
晶界
频道（广播）
载流子寿命
离子注入
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Anjing Luo; Gaofu Guo; Zhucheng Li; Zhili Zou; Xuanze Zhou; et al 出版日期：2026-01-13 |
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