| 标题 |
Novel Void Embedded Design for Total Ionizing Dose Hardening of Silicon-on-Insulator MOSFET 绝缘体上硅MOSFET总电离剂量硬化的新型空隙嵌入设计
相关领域
绝缘体上的硅
MOSFET
材料科学
辐射硬化
光电子学
硅
空隙(复合材料)
硬化(计算)
阈下传导
电离辐射
阈值电压
电气工程
辐射
电子工程
辐照
电压
晶体管
纳米技术
物理
工程类
复合材料
光学
核物理学
图层(电子)
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|