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Bias stress and humidity exposure of amorphous InGaZnO thin-film transistors with atomic layer deposited Al 2 O 3 passivation using dimethylaluminum hydride at 200 °C |
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期刊:Journal of Physics D: Applied Physics 作者:Dianne C Corsino; Juan Paolo S Bermundo; Mami N Fujii; Kiyoshi Takahashi; Yasuaki Ishikawa; Yukiharu Uraoka 出版日期:2020-01-23 |
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(2025-6-4)