Ferroelectricity in undoped-HfO2 thin films induced by deposition temperature control during atomic layer deposition

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标题	Ferroelectricity in undoped-HfO2 thin films induced by deposition temperature control during atomic layer deposition 原子层沉积过程中温度控制对未掺杂HfO2薄膜铁电性的影响相关领域原子层沉积材料科学沉积（地质）图层（电子）铁电性薄膜光电子学逐层纳米技术化学工程电介质沉积物生物工程类古生物学
网址	https://doi.org/10.1039/c6tc02003h
DOI	10.1039/c6tc02003h doi
其它	期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：K. D. Kim; Min Hyuk Park; Kim， Hong-jip; Y. J. Kim; Taeho Moon; et al 出版日期：2016-01-01
求助人	墨菲在 2024-01-29 17:16:52 发布自陕西，悬赏 10 积分
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