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![]() 28 nm FD-SOI CMOS晶体管低温下自加热和热耦合的实验分析和建模
相关领域
绝缘体上的硅
CMOS芯片
材料科学
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:F. E. Bergamaschi; T. Mota Frutuoso; Bruna Cardoso Paz; G. Billiot; A. G. M. Jansen; et al 出版日期:2024-02-27 |
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