| 标题 |
  Single event transient of SOI FinFET with total ionizing dose irradiation 总电离剂量照射下的SOC单粒子瞬间
相关领域
吸收剂量
电离辐射
辐照
绝缘体上的硅
光电子学
材料科学
瞬态（计算机编程）
辐射
电压
电气工程
物理
硅
光学
计算机科学
工程类
核物理学
操作系统
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Vibroengineering PROCEDIA 作者：Baojun Liu; Ping Zhou; Liang Qian 出版日期：2023-10-20 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
bc
斯寜
归尘
zho
失眠天亦
狂野的锦程
Leung
jyy
andrele
核桃
iNk
HT
平常的毛豆
YifanWang
morena
MchemG
mmyhn
pluto
田様
Xiaoxiao
皖公网安备34019202002308
