A New User-Configurable Method to Improve Short-Circuit Ruggedness of 1.2-kV SiC Power MOSFETs

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标题	A New User-Configurable Method to Improve Short-Circuit Ruggedness of 1.2-kV SiC Power MOSFETs 一种提高1.2 kV SiC功率MOSFET短路耐用性的用户可配置新方法相关领域 MOSFET 碳化硅材料科学电气工程功率MOSFET 功率半导体器件晶体管绝缘栅双极晶体管功率（物理）逻辑门门驱动器切换时间短路光电子学电子工程电压工程类物理量子力学冶金
网址	https://doi.org/10.1109/tpel.2020.3010154
DOI	10.1109/tpel.2020.3010154 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Ajit Kanale; B. Jayant Baliga 出版日期：2020-07-17
求助人	幸福大白在 2025-07-12 20:32:17 发布自浙江，悬赏 10 积分
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