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标题
Vanadium oxide thin film deposited on Si by atomic layer deposition for non-volatile resistive switching memory devices
用于非易失性电阻开关存储器件的原子层沉积法在硅上沉积氧化钒薄膜
相关领域
电阻随机存取存储器 材料科学 非易失性存储器 氧化钒 光电子学 薄脆饼 原子层沉积 氧化物 退火（玻璃） 钒 薄膜 纳米技术 电气工程 电压 冶金 工程类
网址
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.158240
DOI
10.1016/j.apsusc.2023.158240 doi
其它 期刊：Applied Surface Science
作者：Wanggon Lee; Shahid Iqbal; Jisu Kim; Sangmin Lee; J. Lee; et al
出版日期：2023-08-15
求助人
游一 在 2025-07-12 16:31:34 发布自福建，悬赏 10 积分
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