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 Total Ionization Dose Effects on Charge Storage Capability of Al 2 O 3 /HfO 2 /Al 2 O 3 -Based Charge Trapping Memory Cell 总电离剂量对Al2O3/HfO2/Al2O3基电荷俘获存储单元电荷存储能力的影响
相关领域
俘获
电荷（物理）
材料科学
电离
原子物理学
物理
离子
生态学
量子力学
生物
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期刊：Chinese Physics Letters 作者：Yannan Xu; Jinshun Bi; Gaobo Xu; Bo Li; Kai Xi; et al 出版日期：2018-11-01 |
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