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标题
Fabrication of asymmetric Ge Schottky tunneling source n-channel field-effect transistor and its characterization of tunneling conduction
非对称锗肖特基隧穿源n沟道场效应晶体管的制备及其隧穿传导特性
相关领域
材料科学 量子隧道 制作 表征（材料科学） 光电子学 场效应晶体管 热传导 凝聚态物理 晶体管 肖特基势垒 领域（数学） 纳米技术 物理 电压 量子力学 医学 替代医学 病理 二极管 复合材料 数学 纯数学
网址
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.09.024
DOI
10.1016/j.mssp.2016.09.024 doi
其它 期刊：Materials Science in Semiconductor Processing
作者：Keisuke Yamamoto; H. Okamoto; Dong Wang; Hiroshi Nakashima
出版日期：2016-10-08
求助人
木木 在 2025-06-12 18:39:21 发布自福建，悬赏 10 积分
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