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标题
Self-Heating and Equivalent Channel Temperature in Short Gate Length GaN HEMTs
短栅极长度GaN HEMTs的自加热和等效沟道温度
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材料科学 光电子学 晶体管 频道（广播） 宽禁带半导体 温度测量 热的 场效应晶体管 逻辑门 氮化镓 电子工程 电气工程 电压 工程类 纳米技术 图层（电子） 物理 热力学
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2019.2926742
DOI
10.1109/ted.2019.2926742 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Xuesong Chen; Slim Boumaiza; Lan Wei
出版日期：2019-07-18
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李沐唅 在 2025-07-05 15:00:00 发布自贵州，悬赏 10 积分
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