Back-Gate Effect Mechanism and Mitigation in High-Voltage Thick-Layer SOI pLDMOS Using a Field Plate-Bulk Dual Depletion Structure

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标题	Back-Gate Effect Mechanism and Mitigation in High-Voltage Thick-Layer SOI pLDMOS Using a Field Plate-Bulk Dual Depletion Structure
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2026.3714753
DOI	10.1109/ted.2026.3714753 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ying Xiang; Teng Liu; Nailong He; Yujing Fu; Jingchuan Zhao; et al 出版日期：2026-01-01
求助人	英俊青枫在 2026-08-21 10:15:57 发布自浙江，悬赏 10 积分
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