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Low ON-Resistance (2.5 mΩ · cm 2 ) Vertical-Type 2-D Hole Gas Diamond MOSFETs With Trench Gate Structure |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Jun Tsunoda; Masayuki Iwataki; Kiyotaka Horikawa; Shotaro Amano; Kosuke Ota; et al 出版日期:2021-07-01 |
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(2025-6-4)