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  Negative Schottky barrier height and surface inhomogeneity in n-silicon M–I–S structures n-硅M-I-S结构中的负肖特基势垒高度与表面不均匀性
相关领域
肖特基势垒
材料科学
电介质
双层
肖特基二极管
半导体
分析化学（期刊）
二极管
原子层沉积
硅
兴奋剂
光电子学
薄膜
化学
纳米技术
生物化学
色谱法
膜
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期刊：AIP Advances 作者：C. P. Harisha; M.-H. Liao; Chi‐Chung Kei; Siddharth Joshi 出版日期：2022-07-01 |
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