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标题
Negative Schottky barrier height and surface inhomogeneity in n-silicon M–I–S structures
n-硅M-I-S结构中的负肖特基势垒高度与表面不均匀性
相关领域
肖特基势垒 材料科学 电介质 双层 肖特基二极管 半导体 分析化学（期刊） 二极管 原子层沉积 硅 兴奋剂 光电子学 薄膜 化学 纳米技术 生物化学 色谱法 膜
网址
https://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/5.0095003
AI链接 scitation.org scitation.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0095003 doi
其它 期刊：AIP Advances
作者：C. P. Harisha; M.-H. Liao; Chi‐Chung Kei; Siddharth Joshi
出版日期：2022-07-01
求助人
大安吉 在 2025-08-04 13:38:32 发布，悬赏 10 积分
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