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 High‐Performance GaN HEMTs with ION/IOFF ≈1010 and Gate Leakage Current <10−11 A mm−1 Using Ta2O5 Dielectric 使用Ta2O5电介质的离子/IOFF≈1010且栅极漏电流<10−11 A mm−1的高性能GaN HEMT
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期刊：physica status solidi (a) 作者：Bhanu B. Upadhyay; Sreenadh Surapaneni; Yogendra Yadav; Navneet Bhardwaj; Netaji Suvachintak; et al 出版日期：2022-04-23 |
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