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 Numerical investigation of quantum tunneling time and spin-current density in GaAs/GaMnAs/GaAs barriers: Role of an applied bias voltage GaAs/GaNaS/GaAs势垒中量子隧穿时间和自旋电流密度的数值研究：外加偏压的作用
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期刊：Physica B Condensed Matter 作者：Najla S. Al-Shameri; Hassen Dakhlaoui 出版日期：2021-11-12 |
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