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标题
Structural properties of MBE-grown CdTe (133)B buffer layers on GaAs (211)B substrates with CdZnTe/CdTe superlattice-based dislocation filtering layers
含CdZnTe/CdTe超晶格位错过滤层的GaAs（211）B衬底MBE生长CdTe（133）B缓冲层的结构性质
相关领域
碲化镉光电 材料科学 腐蚀坑密度 超晶格 位错 光电子学 薄脆饼 缓冲器（光纤） 外延 Crystal（编程语言） 图层（电子） 结晶学 纳米技术 化学 蚀刻（微加工） 复合材料 电信 计算机科学 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1063/5.0143854
AI链接 aip.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0143854 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Wenwu Pan; Shuo Ma; Xiao Sun; Shimul Kanti Nath; Songqing Zhang; et al
出版日期：2023-05-08
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yyyn 在 2025-08-25 22:53:25 发布，悬赏 10 积分
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