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First-principles calculations for defects and impurities: Applications to III-nitrides
缺陷和杂质的第一性原理计算:在III族氮化物中的应用
相关领域
掺杂剂 杂质 半导体 材料科学 化学物理 宽禁带半导体 带隙 氮化镓 凝聚态物理 晶体缺陷 计算化学 纳米技术 兴奋剂 化学 光电子学 物理 有机化学 图层(电子)
网址
DOI
10.1063/1.1682673 doi
其它 期刊:Journal of Applied Physics
作者:Chris G. Van de Walle; Jörg Neugebauer
出版日期:2004-03-25
求助人
Mr 在 2025-08-27 11:33:55 发布自河北,悬赏 10 积分
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