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Investigation of the time dependent gate dielectric stability in SiC MOSFETs with planar and trench gate structures
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2023.115141
DOI
10.1016/j.microrel.2023.115141 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：Wei‐Cheng Lin; Wei-Chen Yu; Bang-Ren Chen; Yu‐Sheng Hsiao; Zhen-Hong Huang; et al
出版日期：2023-10-01
求助人
翟肇永 在 2025-09-24 20:45:10 发布自天津，悬赏 10 积分
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