| 标题 |
 Investigation of the time dependent gate dielectric stability in SiC MOSFETs with planar and trench gate structures 相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
材料科学
栅氧化层
栅极电介质
光电子学
沟槽
MOSFET
介电强度
碳化硅
平面的
金属浇口
负偏压温度不稳定性
电介质
电气工程
电压
纳米技术
工程类
复合材料
晶体管
计算机科学
计算机图形学（图像）
图层（电子）
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期刊：Microelectronics Reliability 作者：Wei‐Cheng Lin; Wei-Chen Yu; Bang-Ren Chen; Yu‐Sheng Hsiao; Zhen-Hong Huang; et al 出版日期：2023-10-01 |
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