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标题
Ge/Si(001) Heteroepitaxial Layers Doped in the HW CVD Process by Impurity Evaporation from a Sublimating Ge Source
升华锗源杂质蒸发在HW CVD工艺中掺杂的Ge/Si（001）异质外延层
相关领域
兴奋剂 杂质 材料科学 蒸发 光电子学 过程（计算） 锗 纳米技术 硅 化学 计算机科学 物理 有机化学 热力学 操作系统
网址
https://doi.org/10.1134/s1063782624040158
DOI
10.1134/s1063782624040158 doi
其它 期刊：Semiconductors
作者：A. M. Titova; В. Г. Шенгуров; С. А. Денисов; V. Yu. Chalkov; А. В. Зайцев; et al
出版日期：2024-04-01
求助人
zywzyw 在 2025-08-28 22:23:14 发布，悬赏 10 积分
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