| 标题 |
 Ge/Si(001) Heteroepitaxial Layers Doped in the HW CVD Process by Impurity Evaporation from a Sublimating Ge Source 升华锗源杂质蒸发在HW CVD工艺中掺杂的Ge/Si（001）异质外延层
相关领域
兴奋剂
杂质
材料科学
蒸发
光电子学
过程（计算）
锗
纳米技术
硅
化学
计算机科学
物理
热力学
操作系统
有机化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Semiconductors 作者：A. M. Titova; В. Г. Шенгуров; С. А. Денисов; V. Yu. Chalkov; А. В. Зайцев; et al 出版日期：2024-04-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
cdercder
Nole
秋风
无极微光
刘厚麟
ilmadf
学术文献互助
Criminology34
6666
渡人舟
GingerF
极限001
嘉心糖
MA_JT
拆迁办禁言
aaaa
DIVINEDC
JINNA
kento
Ali
皖公网安备34019202002308
