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![]() CaGe2薄膜在高电阻率Si(111)衬底上的异质外延生长及其在锗烷合成中的应用
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期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 作者:Kazuya Okada; Shigehisa Shibayama; Mitsuo Sakashita; Osamu Nakatsuka; Masashi Kurosawa 出版日期:2023-03-29 |
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