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 Nanobeam electron diffraction strain mapping in monocrystalline silicon of modern trench power MOSFETs 现代沟槽功率MOSFET单晶硅中的纳米束电子衍射应变图
相关领域
单晶硅
材料科学
沟槽
电子背散射衍射
衍射
硅
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光学
光电子学
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物理
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电压
量子力学
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期刊：Microelectronic Engineering 作者：Stefan Karner; Oliver Blank; M. Rösch; Jakub Zálešák; Jozef Kečkéš; et al 出版日期：2022-08-01 |
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