| 标题 |
 Effect of in-situ ozone annealing on top-gate atomic layer deposited InZnOx channel thin-film transistors on various underlying dielectric layers 相关领域
材料科学
退火（玻璃）
光电子学
X射线光电子能谱
栅极电介质
薄膜晶体管
电介质
原子层沉积
晶体管
臭氧
图层（电子）
氧化物
电子迁移率
高-κ电介质
阈下传导
阈下摆动
纳米技术
分析化学（期刊）
电极
栅氧化层
阈值电压
氧化物薄膜晶体管
氧气
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Guan-Han Lin; Yixiao Li; Yu Chen; Henglong Yang; Chien-Wei Chen; et al 出版日期：2025-10-24 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
秋风
无极微光
DW
Dean
冷酷冰巧
林狗
aaaa
学术文献互助
LYSM
清爽老九
xing_xing
溯123
aajhajkahna
Enigma_GEB
挖掘机
学霸业
ephore
牧青
无名氏马
寒2026
皖公网安备34019202002308
