| 标题 |
 Single-layer HfN2: symmetric scaling behavior in CMOS transistors 相关领域
材料科学
缩放比例
CMOS芯片
晶体管
光电子学
工程物理
纳米技术
电气工程
电压
几何学
工程类
数学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Theprisoners
无极微光
null
DW
Nole
dde
云天河
DOC_XIONG
aajhajkahna
学术文献互助
cdercder
潇洒的惋清
朴素乌龟
aaaa
Kao
Yk
秋风
arniu2008
淡定的傲薇
七听
皖公网安备34019202002308
