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 Growth of vanadium doped semi-insulating 4H-SiC epilayer with ultrahigh-resistivity 超高电阻率掺钒半绝缘4H-SiC外延层的生长
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Kazutoshi Kojima; Shin Sato; Takeshi Ohshima; Shin-Ichiro Kuroki 出版日期：2022-06-28 |
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