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 Accumulative total ionizing dose (TID) and transient dose rate (TDR) effects on planar and vertical ferroelectric tunneling-field-effect-transistors (TFET) 累积总电离剂量（TID）和瞬态剂量率（TDR）对平面和垂直铁电隧道场效应晶体管（TFET）的影响
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