标题 |
A comparative study of strain and Ge content in Si<inf>1−x</inf>Ge<inf>x</inf> channel using planar FETs, FinFETs, and strained relaxed buffer layer FinFETs
使用平面场效应晶体管、FinFETs和应变弛豫缓冲层FinFETs对Si
相关领域
拉伤
物理
生物
解剖
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期刊: 作者:C. H. Lee; Seibu Mochizuki; Richard G. Southwick; J. Li; Xin Miao; et al 出版日期:2017-12-01 |
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