The mechanism of semiconductor to metal transition in the hydrogenation of VO2: a density functional theory study

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标题	The mechanism of semiconductor to metal transition in the hydrogenation of VO2: a density functional theory study VO2加氢过程中半导体向金属转变机理的密度泛函理论研究相关领域单斜晶系氢半导体带隙钒吸附密度泛函理论过渡金属材料科学金属自旋极化化学化学物理表面状态凝聚态物理原子物理学无机化学电子结晶学物理化学计算化学曲面（拓扑）催化作用晶体结构光电子学有机化学几何学物理冶金量子力学生物化学数学
网址	https://doi.org/10.1039/d1cp03891e
DOI	10.1039/d1cp03891e doi
其它	期刊：Physical Chemistry Chemical Physics 作者：Jian Dai; Yufan Shi; Cuiting Chen; Xing Chen; Cuihua Zhao; et al 出版日期：2022-01-01
求助人	川柏树在 2024-03-29 16:51:26 发布自重庆，悬赏 10 积分
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