标题 |
Semiconductor device fabrication technology GaN HEMT for RF power amplifier– current capabilities and future perspective
用于射频功率放大器的半导体器件制造技术——电流性能和未来展望
相关领域
高电子迁移率晶体管
放大器
材料科学
透视图(图形)
射频功率放大器
光电子学
制作
电气工程
功率(物理)
半导体
电流(流体)
工程物理
工程类
计算机科学
晶体管
物理
医学
CMOS芯片
电压
替代医学
病理
人工智能
量子力学
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其它 |
期刊:Materials Today: Proceedings 作者:Sukhpreet Singh 出版日期:2021-01-01 |
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