| 标题 |
 A Fully Integrated 160-Gb/s D-Band Transmitter Achieving 1.1-pJ/b Efficiency in 22-nm FinFET 在22纳米FinFET中实现1.1 pJ/b效率的全集成160 Gb/s D波段发射机
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多路复用器
放大器
电气工程
电子工程
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宽带
倍频器
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光电子学
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| 其它 |
期刊：IEEE journal of solid-state circuits 作者：Steven Callender; Abhishek Agrawal; Amy Whitcombe; Ritesh Bhat; Md. Shafiqur Rahman; et al 出版日期：2022-12-01 |
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