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 N-face GaN/AlN/GaN/InAlN and GaN/AlN/AlGaN/GaN/InAlN high-electron-mobility transistor structures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on vicinal substrates 相关领域
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Elaheh Ahmadi; Feng Wu; Haoran Li; Stephen W. Kaun; Maher Tahhan; et al 出版日期：2015-04-16 |
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