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标题
A computationally efficient compact model for fully-depleted SOI MOSFETs with independently-controlled front- and back-gates
相关领域
绝缘体上的硅 前线（军事） 计算机科学 MOSFET 电子工程 双闸门 光电子学 电气工程 物理 工程类 晶体管 电压 硅 气象学
网址
https://doi.org/10.1016/j.sse.2010.12.015
DOI
10.1016/j.sse.2010.12.015 doi
其它 期刊：Solid-State Electronics
作者：Darsen D. Lu; Mohan V. Dunga; Chung-Hsun Lin; Ali M. Niknejad; Chenming Hu
出版日期：2011-02-10
求助人
ewfr 在 2026-01-05 16:54:04 发布自广东，悬赏 10 积分
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