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Improved Threshold Voltage Stability of p-GaN Gate HEMTs Under Off-State Drain Stress Using p-NiO RESURF Terminal |
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期刊:Micromachines 作者:Jun Pan; Xiangru Ye; Ruixi Jiang; Ailin Miao; Fuxiang Miao; et al 出版日期:2026-04-16 |
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(2025-6-4)