| 标题 |
 Gate leakage mechanisms caused by 60Co gamma irradiation on p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs 相关领域
光电子学
材料科学
宽禁带半导体
随时间变化的栅氧化层击穿
栅氧化层
泄漏（经济）
量子隧道
电容
辐照
深能级瞬态光谱
金属浇口
热传导
逻辑门
辐射
栅极电介质
电压
γ辐照
光谱学
阈值电压
和大门
普尔-弗伦克尔效应
瞬态（计算机编程）
反向漏电流
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Danmei Lin; Xuefeng Zheng; Shaozhong Yue; Xiaohu Wang; Hao Zhang; et al 出版日期：2025-09-15 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
浮游
cdercder
无极微光
潇洒的惋清
AllRightReserved
Nexus
wanci
Twonej
DKJ
OK
GingerF
专注的荣轩
Starwalker
sagitar
dde
畔畔
学术文献互助
maxwell
zp560
昏睡的蟠桃
皖公网安备34019202002308
