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Interface-Engineered High-Mobility High-$k$/Ge pMOSFETs With 1-nm Equivalent Oxide Thickness |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Ruilong Xie; Thanh Hoa Phung; Wei He; Mingbin Yu; Chunxiang Zhu 出版日期:2009-05-20 |
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