How to prevent a runaway chemical reaction in the isotropic etching of silicon with HF/HNO 3 /CH 3 COOH or HNA solution

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标题	How to prevent a runaway chemical reaction in the isotropic etching of silicon with HF/HNO 3 /CH 3 COOH or HNA solution
网址	https://doi.org/10.1117/12.522944
DOI	10.1117/12.522944 doi
其它	期刊：Device and Process Technologies for MEMS, Microelectronics, and Photonics III 作者：Jung-Chih Chiao; Wing C. Hui; Alex J. Hariz; David N. Jamieson; Giacinta Parish; Vijay K. Varadan 出版日期：2004
求助人	背后妙旋在 2026-03-17 15:51:23 发布自江苏，悬赏 20 积分
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