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标题
Thin-channel AlGaN/GaN/AlN double heterostructure HEMTs on AlN substrates via hot-wall MOCVD
网址
DOI
10.1063/5.0282836 doi
其它 期刊:Applied Physics Letters
作者:Minho Kim; Alexis Papamichail; Dat Q. Tran; Plamen P. Paskov; Vanya Darakchieva
出版日期:2025
求助人
赖飞阳 在 2026-03-08 00:27:33 发布自天津,悬赏 10 积分
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