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Design of step-graded AlGaN buffers for GaN-on-Si heterostructures grown by MOCVD
MOCVD生长GaN-on-Si异质结构阶梯梯度AlGaN缓冲层的设计
相关领域
材料科学
金属有机气相外延
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期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Saptarsi Ghosh; A. Hinz; Martin Frentrup; Saiful Alam; David Wallis; et al 出版日期:2023-02-22 |
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