Effect of annealing temperature on switching properties in Si-doped HfO2 films

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标题	Effect of annealing temperature on switching properties in Si-doped HfO2 films 退火温度对掺硅HfO2薄膜开关特性的影响相关领域材料科学退火（玻璃）成核极化（电化学）铁电性兴奋剂切换时间凝聚态物理氧气氧化物光电子学化学热力学物理化学电介质冶金物理有机化学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0039446
DOI	10.1063/5.0039446 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Sanghyun Park; Min Chul Chun; Min Jin Kim; Jun Young Lee; Yongjun Cho; et al 出版日期：2021-04-26
求助人	从容的元芹在 2025-08-04 23:47:03 发布，悬赏 10 积分
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