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 Quantitative Analysis of La and Al Additives Role on Dipole Magnitude Inducing Vt Shift in High-K/Metal Gate Stack La和Al添加剂对高K/金属栅极堆叠中诱导Vt偏移的偶极振幅作用的定量分析
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：C. Suarez-Segovia; C. Leroux; Florian Domengie; G. Ghibaudo 出版日期：2017-01-10 |
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