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  High mobility SiMOSFETs fabricated in a full 300 mm CMOS process 采用全300 mm CMOS工艺制造的高迁移率SIMOSFET
相关领域
CMOS芯片
材料科学
光电子学
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期刊：Materials for Quantum Technology 作者：Timothy N. Camenzind; Ahmed Elsayed; Fahd A. Mohiyaddin; RUYUE LI; Stefan Kubicek; et al 出版日期：2021-12-01 |
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