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The Electrical Characteristics of 1200 V Trench Gate MOSFET Based on SiC
1200V SiC沟栅MOSFET的电特性
相关领域
材料科学 MOSFET 功率半导体器件 沟槽 光电子学 功率MOSFET 绝缘栅双极晶体管 JFET公司 碳化硅 电气工程 工程物理 晶体管 电压 场效应晶体管 纳米技术 工程类 复合材料 图层（电子）
网址
https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s42341-023-004...
DOI
10.1007/s42341-023-00451-x doi
其它 期刊：Transactions on Electrical and Electronic Materials
作者：Ey Goo Kang
出版日期：2023-06-14
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YJY 在 2025-07-17 13:25:25 发布自湖南，悬赏 10 积分
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