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 Effect of Al2O3 dielectric layer thickness on the AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor higher-electron-mobility transistor characteristics 相关领域
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Zhiwei Bi; Feng Qian; Yue Hao; Yue Yuanzheng; Zhang Zhong-Fen; et al 出版日期：2009-01-01 |
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