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Reliability Enhancement by Doping Boron and Fluorine in Lightly Doped Drain Region of High-Voltage FinFET
高电压FinFET低掺杂漏区硼氟掺杂提高可靠性
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期刊:IEEE electron device letters 作者:Chien‐Hung Yeh; Ting‐Chang Chang; Ting-Tzu Kuo; Wei‐Ting Hung; Jiaxin Lin; et al 出版日期:2023-06-01 |
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