| 标题 |
 Subthreshold swing improvement in MoS2 transistors by the negative-capacitance effect in a ferroelectric Al-doped-HfO2/HfO2 gate dielectric stack 铁电掺杂Al-HfO2/HfO2栅介质叠层中负电容效应对MoS2晶体管亚阈值摆幅的改善
相关领域
材料科学
光电子学
铁电性
电介质
栅极电介质
场效应晶体管
二硫化钼
负阻抗变换器
晶体管
原子层沉积
兴奋剂
纳米技术
图层（电子）
电压
电气工程
电压源
冶金
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Nanoscale 作者：Amirhasan Nourbakhsh; Ahmad Zubair; Sameer Joglekar; Mildred Dresselhaus; Tomás Palacios 出版日期：2017-04-20 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
cctv18
SOLOMON
草拟大坝
benben
FIN
学习快乐
杀出个黎明
不安青牛
gjww
互助遵法尚德
psyduck
大大
newfat
科目三
万能图书馆
钵钵鸡
寻寻觅觅呢
深情安青
林小鹿
看不了一点文献
皖公网安备34019202002308
